Número do Produto do Fabricante:
TSM089N08LCR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM089N08LCR RLG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 67A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventário:
10000 Pcs Novo Original Em Estoque
12891836
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TSM089N08LCR RLG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6119 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
TSM089
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM089N08LCRRLGDKR
TSM089N08LCR RLGTR-DG
TSM089N08LCR RLGDKR
TSM089N08LCR RLGCT-DG
TSM089N08LCRRLGCT
TSM089N08LCR RLGTR
TSM089N08LCRRLGTR
TSM089N08LCR RLGDKR-DG
TSM089N08LCR RLGCT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMP3018SFV-7
MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
DMN30H4D0L-7
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
TSM60NB150CF C0G
MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S
